不同工质回路热管负载功率变化下的质量流量特性

为了进一步提高回路热管仿真精度并丰富回路热管实验研究方法，本文对回路热管瞬态传质进行实验研究。使用高精度质量流量计分别对以丙酮、乙醇、丙烯为工质的回路热管进行不同负载功率下的质量流量测量研究。结果表明：启动阶段，热负载10W时，丙烯回路比丙酮回路热管启动快，且两者的温度稳定均滞后于质量流量；稳定阶段，随着热负载功率增大，不同工质的回路热管的平均质量流量均线性增长，而瞬态质量流量则持续波动，其质量流量波动幅度均呈现先减小后增大的趋势。质量流量波动幅度会受到气体工质的可压缩性与作用在毛细芯内部上的热量的共同影响。通过频谱分析发现，液相质量流量波动还会受到冷凝器两相区的影响。高热负载下，作用在毛细芯内部上的热量占主导地位，质量流量波动加剧，同时出现周期性大幅波动，且其波动频率随着热负载增大而增大。     

极限工况下的管网“互联互通”改进方案

在全国天然气管道“主干互联、区域成网”(以下简称“互联互通”)基础格局逐渐形成的背景下,天然气管网规模日益扩大、管道分支和气源增加,并且分布不集中、输送方向可变,使得输气方案更加灵活,可以更好地解决某些地域的供气紧张问题;但受现有站场和设备的限制,暂不能满足某些多线组合极限工况,使得“互联互通”的初衷难以全部实现。为了使得现有的各输气干线在实现“互联互通”之后可以满足更多的多线组合工况,在分析“互联互通”背景下M管网工况变化的基础上,研发了可以进行水力仿真和压气站方案制订的计算软件,并对3种极限工况下的不同输气量情况进行了可行性试算,进而基于试算结果提出了相应的管网改进建议。研究结果表明:(1)经验证,软件计算误差满足要求;(2)在M管道某处增设压气站或在某些输气站场配置压缩机组;(3) M管网改进调整后,可以完成大部分的多线组合极限工况,真正实现“互联互通”的输气方案。结论认为,该研究成果有助于推进全国天然气管网早日实现“互联互通”。     

排风扇前盖注射模设计

分析了排风扇前盖塑件的工艺特点,介绍了排风扇前盖注射成型模结构及模具的工作过程。     

综采放顶煤工作面高位巷抽采关键技术研究

为了保证九里山矿1508工作面采空区瓦斯治理效果，通过现场数据测定、实验考察和理论分析，研究了推进度、抽采负压、抽采管网等高位巷抽采关键参数。研究结果表明，工作面煤层越厚、推进度越快，瓦斯涌出量越大；孔抽期间理想抽采负压为25～30 kPa、巷抽期间理想抽采负压为5～10 kPa，高位巷并联支路及管路阻力会影响高位巷的抽采效果。     

底板带压开采工作面并行电透视探测技术应用研究

汾西矿务局水峪矿部分工作面现已面临带压开采问题，受下伏奥陶系灰岩水害影响，工作面安全回采过程中的防治水工作难度增加，尤其是带压开采工作面底板灰岩水的有效探测变得异常紧迫与重要。为了解决底板带压开采工作面富水区的探测问题，水峪矿引入了并行电透视技术，并对相应工作面进行了探测应用。并行电透视技术相对于传统音频电透视技术具有仪器智能化控制发射接收切换、一发射点并行对应多接收点、仪器智能快速高效跑极施工的3项技术优势，可体现应用现场施工高效、实际探测效果可靠的技术特点。经过对并行电透视技术及探测应用效果分析研究，证明该方法技术领先，现场施工高效，实际探测结果可靠，实用性强。     

03Cr18NiMoN节镍双相不锈钢的热变形行为及热加工图

关键词：双相不锈钢； 流变曲线； 本构方程； 热加工图     

综放工作面防治水技术应用实践

为解决21000工作面采空区及顶板涌水问题,根据工作面出水点的不同情况,采取了集水器导水、老塘设挡水堰截水、挖排水沟疏水等多项治水措施,经统计排水量达33~42m3/h,有效控制了水情,确保了工作面正常生产。     

GIS气体高压开关在阳煤五矿变电站的应用

针对阳煤五矿广场变电站的高压开关老化问题,为了保证安全性,采用了GIS气体的高压绝缘开关进行了改造。在改造后,变电站的安全性得到了显著提高,设备运行可以节省成本200多万元。     

《化学制药单元操控》工学结合课程的教学探索

《化学制药单元操控》是一门新开发的将情景教学、实验操作和仿真实训相结合的工学结合课程。其中,引入化工仿真教学这一新型的教学方式,即通过在非常逼真的操作环境中进行技能训练,使学生对实际生产装置有更加感性的了解和认识。本文对《化学制药单元操控》工学结合课程开发与实施应用过程进行分析和总结得到几点经验,同时分享对该门课程教学改革中的一些心得。     

Compiler compatible 5.66 Mb/mm2 8T 1R1W register file in 14 nm FinFET technology

1-read/1-write (1R1W) register file (RF) is a popular memory configuration in modern feature rich SoCs requiring significant amount of embedded memory. A memory compiler is constructed using the 8T RF bitcell spanning a range of instances from 32 b to 72 Kb. An 8T low-leakage bitcell of 0.106 μm² is used in a 14 nm FinFET technology with a 70 nm contacted gate pitch for high-density (HD) two-port (TP) RF memory compiler which achieves 5.66 Mb/mm² array density for a 72 Kb array which is the highest reported density in 14 nm FinFET technology. The density improvement is achieved by using techniques such as leaf-cell optimization (eliminating transistors), better architectural planning, top level connectivity through leaf-cell abutment and minimizing the number of unique leaf-cells. These techniques are fully compatible with memory compiler usage over the required span. Leakage power is minimized by using power-switches without degrading the density mentioned above. Self-induced supply voltage collapse technique is applied for write and a four stack static keeper is used for read Vmin improvement. Fabricated test chips using 14 nm process have demonstrated 2.33 GHz performance at 1.1 V/25 °C operation. Overall V_min of 550 mV is achieved with this design at 25 °C. The inbuilt power-switch improves leakage power by 12x in simulation. Approximately 8% die area of a leading 14 nm SoC in commercialization is occupied by these compiled RF instances.